Максимальный объем оперативной памяти в современных смартфонах не превышает 3 ГБ (пока). И дело не только в ненадобности большего объема, но и в себестоимости модулей памяти. Но похоже, что вскоре данная проблема будет решена.
Уже давно ученые работают над созданием нового типа памяти — RRAM (resistive random access memory), которая может хранить намного больше информации по сравнению с современными модулями при меньших габаритах. Однако производство ее до сих пор было сопряжено с серьезными трудностями — необходима была высокая температура и вольтаж. Это, в свою очередь, далеко не лучшим образом сказывалось на себестоимости RRAM.
И вот исследователи из Университета Райса (в США) разрешили основные проблемы при производстве RRAM. Теперь такую память можно выпускать при комнатной температуре, используя невысокое напряжение.
Это дает серьезный толчок развитию новой технологии. Помимо высокой скорости чтения/записи, данный тип памяти может хранить намного больше информации, чем обычная Flash-память. К примеру, уже есть образцы модулей памяти объемом 1 ТБ размером с обычную почтовую марку.
Представители университета уже заявили, что их технологией заинтересовался крупный мировой производитель памяти (какой именно, не сообщается). Сделка с ним может быть заключена в ближайшие недели. Это означает, что в ближайшие годы объем встроенных накопителей в смартфонах, планшетах и ноутбуках может резко вырасти, а их стоимость — упасть.
c 11:00 до 19:00 пн-пт
