На прошлой неделе появились первые слухи о следующем флагманском смартфоне компании Samsung GALAXY S6. Согласно источникам, смартфон создается с чистого листа, что подтверждает его кодовое имя Project Zero. Предварительные технические характеристики смартфона выглядят внушительно, во всяком случае, на бумаге. Теперь же появилась информация об используемой встроенной памяти в смартфоне, которая должна стать значительно быстрее, чем используемая ранее.
Согласно новому отчету из Кореи, Samsung начнет использовать UFS 2.0 (Universal Flash Storage) уже в GALAXY S6. UFS является следующим поколением NAND Flash и сочетает в себе высокую скорость, присущую SSD и низкое энергопотребление, свойственное eMMC. Скорость UFS может достигать 1,2 ГБ в секунду, что в три раза выше скорости eMMC. К тому же, их энергоэффективность находится на сопоставимом уровне, с небольшим перевесом в пользу UFS, однако увеличенная пропускная способность позволить увеличить разницу в энергопотреблении до двух раз по сравнению с eMMC 5.0.
Samsung будет постепенно заменять внутренние и внешние накопители на UFS-решения. Компания считает, что внедрение данной технологии может помочь ей увеличить долю на этом рынке за счет преимущества скорости и энергоэффективности по сравнению с конкурентами.
c 11:00 до 19:00 пн-пт
